日本 ADVANTEC 愛德萬泰克 ICF34-H 小型固定法蘭 技術特點
一、
全金屬刀口密封結構，超高真空級密封性能采用 ICF 標準全金屬刀口密封設計，型號后綴 “H” 代表無旋轉固定法蘭結構，屬于剛性一體式設計，無活動間隙，從根本上消除了潛在泄漏路徑。密封端面經過超高精度加工，形成銳利且均勻的刀口，安裝時通過螺栓均勻預緊擠壓無氧銅密封墊，使銅墊發生塑性變形，實現永久的金屬 - 金屬密封。其標準泄漏率可達 1.33×10?11 Pa?m3/s 以下，能夠穩定維持 10?? Pa 量級的超高真空環境，完全滿足半導體、真空鍍膜等對真空度要求極高的場景需求。
二、
低碳不銹鋼材質，低放氣率與高耐腐蝕性默認采用 SUS304L 低碳不銹鋼材質，也可根據用戶需求提供 SUS316L 不銹鋼版本。低碳成分設計有效避免了焊接及高溫烘烤過程中碳化物的析出，杜絕晶間腐蝕風險，保障法蘭在長期高溫、真空環境下的結構穩定性。同時，不銹鋼材質本身具有極低的放氣率，表面不易吸附和釋放氣體，能顯著減少真空系統內的氣源干擾，助力系統快速抽至極限真空狀態。
三、
高精度加工與電解拋光工藝，保障性能與互換性法蘭的密封面、刀口、螺栓孔均采用高精度數控加工，嚴格遵循 ICF 國際標準公差，確保與同規格 ICF 法蘭、管件、閥門等元件的完美互換性，無需額外適配即可直接安裝使用。關鍵密封面還經過電解拋光處理，大幅降低表面粗糙度，減少表面微孔隙與污染物殘留，從源頭降低放氣率與氣體吸附，提升真空系統的極限性能與清潔度，尤其適配對顆粒污染敏感的半導體制造場景。
四、
耐高溫烘烤性能，適配高要求除氣工藝配合無氧銅密封墊使用時，該法蘭可承受最高 450℃的高溫烘烤工藝。這對于去除真空腔體內表面吸附的水汽、碳氫化合物等殘留氣體至關重要，能顯著縮短系統抽真空的時間，同時避免有機密封材料在高溫下分解揮發污染真空環境，適配需要定期烘烤除氣的超高真空系統。
五、
一體式固定結構，長期穩定性與通用性強采用無旋轉的一體式固定結構，消除了旋轉部件之間的配合間隙，結構剛性更強，在長期振動、冷熱循環工況下，能始終保持連接的牢固性與密封性能，減少后期維護成本。同時，作為 ADVANTEC ICF 小型法蘭系列的基礎型號，它支持多種通孔內徑衍生規格，可直接與不同管徑的真空管道焊接或配套連接，無需定制加工，大幅提升系統搭建的通用性與靈活性。
